2022.11.07-11.10 @大阪熊取
シリコンカーバイド(SiC)半導体センサーに1 kVの逆バイアス電圧を印加しながら高速中性子を照射して、漏れ電流特性に変化がないかを調べてきました。黒いレールの先端にセンサーが2個取り付けてあります。
この実験は、高エネルギー実験を想定して、大量の高速中性子による半導体センサーの品質劣化がどの程度の中性子照射線量で生じるかを調べることを目的としています。多くの論文では、バイアス電圧を印加していない状態での結果がほとんどですが、我々は、実際にバイアス電圧を印加した状態で照射しています。今回は重水施設で1 MW運転の期間のみを照射しているので、ソースメータで観察した限りでは変化はありませんでした。今後も月に一回のペースで同じ素子を照射し続けて変化を調べていきたいと思います。
今回は宿をりんくうタウンに予約したのですが、海岸沿いの景色が素晴らしく、熊取の複合研に来た際のおすすめポイントです。